40 × 18 μm 微小发光区
小尺寸的芯片发光区为紧凑光学系统提供设计基础。配合合适的准直和整形镜组,有助于控制出射光束并面向更小的目标照射区域进行优化。
产品技术资料
按具体型号拆解 40 × 18 μm 微小发光区、四层堆叠、FAC 快轴压缩、40W 脉冲输出、光斑特性与单光子测距集成要点。
对测距系统而言,发射端不仅要提供足够的峰值功率,还要与准直光学、接收视场及目标尺寸共同设计。更精细的光斑有助于提高目标选择性,但最终表现必须通过整机光学测试确认。
小尺寸的芯片发光区为紧凑光学系统提供设计基础。配合合适的准直和整形镜组,有助于控制出射光束并面向更小的目标照射区域进行优化。
产品规格书明确采用快轴压缩(FAC)设计。它面向激光二极管出光整形,帮助系统处理芯片出射光的发散问题;镜片配置和装调质量会影响最终光束尺寸。
一颗芯片中包含 4 个外延堆叠发射器,形成规格书所示的四层发光效果。集成式设计减少了多颗独立发射芯片的分立安装与对准环节。
面对高尔夫旗杆、细小反射目标或复杂背景,小光斑有机会减少光束覆盖到周边背景的比例,帮助系统把测距能量集中到希望测量的位置。
上下选择两台 905 nm 激光器,各自设置准直透镜,并在右侧并排比较 1200 m 光斑结果与模拟光斑变化。
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计算使用数据库中的典型发光区与 FWHM 发散角,并按高斯光束远场与衍射极限做简化估算。模拟光斑采用对数比例,便于同时观察米级原始光斑和亚米级准直光斑;实际结果仍需整机测试。
芯片内部的多发射层结构与目标处的最终光斑并不是同一个概念。下面把“芯片结构—出射发散—光学整形—目标光斑”的关系拆开解释。
图像来自 PLD905-40W-MCL(V3.0)规格书。展示的是器件近场/发光效果,不等同于远处目标面光斑测试。
示意结构用于帮助理解层叠关系;实际芯片内部的外延结构以制造工艺和器件剖面资料为准。
微小发光区与四层外延堆叠结构提供脉冲光输出。
结合光学元件控制不同方向上的发散角。
光束尺寸随距离、光学设计和装调误差而变化。
通过样机测试确认光斑大小、均匀度和能量分布。
PLD905-40W-MCL 可作为 905 nm 脉冲发射源,嵌入激光测距仪、激光传感器和无人机测距系统。测距距离、精度和抗干扰能力由完整发射/接收链路决定。
旗杆等目标相对细小、周围背景丰富。小光斑发射设计有助于减少光束覆盖背景区域的比例,配合接收视场和算法提升目标选择性。
FLAG LOCK · TARGET SELECTIVITY与高灵敏度单光子探测器、窄带滤光、时间相关探测电子学及合适接收口径配合,可构建远距离弱回波测距链路。单靠发射器参数不能直接保证具体测距公里数。
SINGLE-PHOTON RECEIVER SYSTEM轻量化 TO56 发射器可用于机载测距传感器、近中远距离测量及空间感知方案的发射端开发。整机需验证振动、温度、功耗和眼安全要求。
UAV RANGING · OBSTACLE AWARENESS适合评估用于专业激光测距仪、工业测量和特种光电系统。其优势在于紧凑器件、短脉冲输出以及可配合小光斑光学方案进行系统集成。
SPECIALTY OPTOELECTRONICS关于“障碍物穿透”:小光斑并不代表激光能够穿透不透明实体。更准确的系统收益是在枝叶等稀疏遮挡环境中,配合指向和回波处理,尝试选取遮挡间隙后的目标并抑制部分背景混合回波;实际效果必须由场景测试确认。
与由多颗独立激光芯片组合的方案相比,单芯片四发射层集成可减少分立芯片间的安装和对准环节;具体量产一致性仍需结合批次数据、老化测试和整机验证评估。
以下图片截取自产品规格书中的典型特性曲线,用于展示器件特性趋势;实际数值和离散范围以相应测试报告为准。
规格书标准条件:脉宽 100 ns、频率 3 kHz、环境温度 25°C。
典型光谱宽度约 7 nm;发射波长会随结温和工作条件变化。
用于理解不同方向的发散分布,最终准直效果取决于系统光学设计。
包含 PLD905-40W-MCL 与 PLD905-40W-MCL-2.0 版本。采购和装配前请以当前正式图纸核实机械尺寸与引脚定义。
以下参数来自《PLD905-40W-MCL(V3.0)》规格书。除另有说明,特性参数在 TA = 25°C 条件下规定。
| 参数 | 典型值 / 范围 | 单位 | 说明 |
|---|---|---|---|
| 产品型号 | PLD905-40W-MCL / PLD905-40W-MCL-2.0 | — | TO56 金属封装 |
| 峰值输出功率 | 40(37–44) | W | 典型值 40 W;规格书最大额定值 44 W(短时工作) |
| 发射波长 | 905(895–915) | nm | 规格书特性参数 |
| 光谱宽度(FWHM) | 7 | nm | 典型值 |
| 波长温度系数 | 0.28 | nm/K | 典型值;波长非恒定不变 |
| 外延堆叠发射器 | 4 | 层 | 单芯片集成 |
| 发光区尺寸 | 40 × 18 | μm | 芯片发光区,不是目标面光斑尺寸 |
| 工作脉宽范围 | 1–100 | ns | 产品特点给出的适用范围;最终以驱动条件为准 |
| 标准工作条件(规格书术语) | 100 ns / 3 kHz / 12 A / 25°C | — | 用于典型特性曲线条件 |
| 工作电压 | 12.6(12–13.2) | V | 典型值(TA = 25°C) |
| 工作电流 | 12(11–13) | A | 典型值(TA = 25°C) |
| 阈值电流 | 0.75(0.5–1) | A | 典型值(TA = 25°C) |
| 光束发散角(平行于 pn 结,FWHM) | 典型 9 / 最大 10 | ° | 规格书定义 |
| 光束发散角(垂直于 pn 结,FWHM) | 典型 6 / 最大 8 | ° | 规格书定义 |
| 工作温度 | −40 至 +85 | °C | 器件工作范围 |
| 存储温度 | −40 至 +100 | °C | 存储范围 |
| 反向电压 | 20 | V | 最大额定值 |
| 占空比 | 0.1 | % | 最大额定值表中的短时工作条件 |
参数备注:规格书典型数据为统计结果,不保证每颗器件完全等于典型值。器件工作条件、脉冲形状、结温与驱动电路均会影响实际输出。
峰值功率很高并不意味着平均功耗同样很高。对于脉冲激光器,脉宽和重复频率会共同决定能量输出与占空比。
拖动左侧参数,观察占空比变化。器件实际运行必须同时满足脉冲宽度、峰值电流、温升、最大额定值与驱动电路约束。
当前占空比低于规格书中的 0.1% 最大额定值参考,但仍需确认具体测试条件和器件完整额定值。
估算公式:单脉冲能量 ≈ 峰值功率 × 脉冲宽度;平均功率 ≈ 单脉冲能量 × 重复频率。计算假设矩形脉冲,真实脉冲能量需基于实际波形积分测量;不得将计算结果替代产品规格或安全评估。
不是。这是芯片发光区尺寸。目标面光斑还受到发散角、准直镜焦距、镜片口径、装调和传播距离影响,建议通过整机光斑测试确认。
不是。该型号是脉冲激光二极管,40 W 为典型峰值输出功率。平均光功率取决于脉冲波形、脉宽和重复频率。
不能仅由发射器保证。远距离单光子测距需要配套探测器、接收光学、窄带滤光、时间测量电子学和背景抑制算法,并结合目标反射率及环境测试。
不意味着。小光斑主要有助于目标选择和减少部分背景混合。对不透明实体,905 nm 激光不能简单宣传为可穿透;稀疏植被间隙等场景需按实际测试结果描述。
905 nm 为不可见近红外光,可能对眼睛造成伤害。规格书要求器件使用产品遵循 IEC 60825-1 激光产品安全要求。测试和集成时应设置遮光、互锁、光束终止和适当的防护措施,避免直视或镜面反射入眼。
准备将 PLD905-40W-MCL 导入测距模组?建议同时确认工作脉冲参数、驱动电路、热路径、光学准直方案、目标面光斑指标和接收链路参数。
目标测距范围、目标尺寸与反射率、所需光斑直径、重复频率、脉冲宽度、接收探测器类型、工作环境温度以及封装引脚版本。
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