Documentación técnica del producto

Diodo láser pulsado de pequeño punto FAC PLD905-40W-MCL y aplicaciones de medición de distancia con fotones individuales

Desmontar según el modelo específico el área de emisión microscópica de 40 × 18 μm, la pila de cuatro capas, la compresión del eje rápido FAC, la salida de pulso de 40 W, las características del punto y los puntos clave de integración para la medición de distancia de fotón único.

Español 905 nm · 40 W · FAC · 40 × 18 μm Updated 2026-10-23
905 nm · FAC PULSED LASER DIODE

Pequeña zona luminosa
Encender un punto más pequeño

El PLD905-40W-MCL se basa en un área emisora muy pequeña de 40 × 18 μm, emplea diseño de compresión del eje rápido FAC y estructura de un solo chip con cuatro emisores epitaxialmente apilados, orientado a sistemas con requisitos de pequeño punto de luz, medición de larga distancia y selección precisa de objetivos.

40 W Potencia pico típica4 capas Emisor de apilamiento epitaxial40 × 18 μm Zona emisora905 nm Infrarrojo cercano
PLD905 · MICRO APERTUREOPTICAL DESIGN
Imagen real del encapsulado metálico TO56 del PLD905-40W-MCL
40 × 18μm aperture
TO56 metal package
FAC · 4 emitters
STACKED EMISSIONSMALL SPOT CONCEPTSPOT4-LAYER
Esquema conceptual, no representa el tamaño medido de la superficie objetivoMICRO-SPOT DESIGN
40 WTypical peak optical output
40 WPotencia de salida óptica pico típicaParámetros característicos según la hoja de especificaciones: 37–44 W
4 capas emisorasEstructura de apilamiento epitaxial de un solo chipNo son cuatro LD ensamblados de forma independiente
40 × 18 μmTamaño de la zona emisora del chipPequeña fuente de luz, para sentar las bases del diseño del punto de luz
1–100 nsOrientado al modo de trabajo de pulsos cortosLos requisitos de conducción específicos deben cumplir los valores nominales
WHY SMALL SPOT

No solo se centra en la potencia, más bien en
Dónde cae la energía en el objetivo

Para el sistema de medición de distancia, el extremo de emisión no solo debe proporcionar suficiente potencia pico, sino también diseñarse en conjunto con la óptica de colimación, el campo de visión de recepción y el tamaño del objetivo. Un punto más fino ayuda a mejorar la selectividad del objetivo, pero el rendimiento final debe confirmarse mediante pruebas ópticas completas.

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01 / MICRO APERTURE

Pequeña zona emisora de 40 × 18 μm

El área de emisión del chip de pequeño tamaño proporciona una base de diseño para sistemas ópticos compactos. Combinada con lentes colimadoras y de conformación adecuadas, ayuda a controlar el haz de salida y a optimizarlo para áreas de iluminación más pequeñas sobre el objetivo.

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02 / FAC DESIGN

Diseño FAC de compresión de eje rápido

La hoja de especificaciones del producto indica claramente el uso de un diseño de compresión de eje rápido (FAC). Está orientado a la conformación de la luz del diodo láser, ayudando al sistema a manejar el problema de la divergencia de la luz emitida por el chip; la configuración de las lentes y la calidad del ajuste afectarán el tamaño final del haz.

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03 / FOUR EMITTERS

Apilamiento epitaxial de cuatro capas en un solo chip

Un chip contiene 4 emisores apilados epitaxialmente, formando un efecto de iluminación de cuatro capas como se muestra en la hoja de especificaciones. El diseño integrado reduce la instalación y alineación discreta de múltiples chips emisores independientes.

⌖
04 / TARGET SELECTIVITY

Diseñado para la selección de objetivos precisos

Frente a banderas de golf, objetivos reflejantes pequeños o fondos complejos, un patrón de luz pequeño puede reducir la proporción de haz que cubre el fondo circundante, ayudando al sistema a concentrar la energía de medición en la posición deseada.

BEAM COLLIMATION SIMULATOR

Comparación del patrón original de doble láser con colimación a 1200 m

Seleccione arriba y abajo dos láseres de 905 nm, configure cada uno su lente de colimación y compare lado a lado los resultados del patrón de 1200 m con la variación del patrón simulado en el lado derecho.

A
LASER A

Láser A

Región emisora original220 × 18 μm
Ángulo de divergencia del eje lento9°
Ángulo de divergencia del eje rápido6°
ONE-LENS DATA

Lente de colimación A

SIDE VIEW · SLOW AXISCLEAR
CHIP LENS BEAM
Chip220 μm · SLOW
Diámetro efectivo20 mm
B
LASER B

Láser B

Región emisora original40 × 18 μm
Ángulo de divergencia del eje lento9°
Ángulo de divergencia del eje rápido25°
ONE-LENS DATA

Lente de colimación B

SIDE VIEW · SLOW AXISCLEAR
CHIP LENS BEAM
Chip40 μm · SLOW
Diámetro efectivo6 mm

Leyendo la base de datos de productos...

Distancia de simulación fija1200 m
Esperando que se calculen los dos láseres...
A—
—
Punto de luz original · Eje lento—
Punto de luz original · Eje rápido—
Punto de luz colimado · Eje lento—
Punto de luz colimado · Eje rápido—
Eje lento después de colimación—
Eje rápido después de colimación—
Compresión de eje lento—
Compresión de eje rápido—
B—
—
Punto de luz original · Eje lento—
Punto de luz original · Eje rápido—
Punto de luz colimado · Eje lento—
Punto de luz colimado · Eje rápido—
Eje lento después de colimación—
Eje rápido después de colimación—
Compresión de eje lento—
Compresión de eje rápido—

Cambio simulado del punto de luz a 1200 m

La misma escala logarítmica muestra los patrones original y colimado
A · Original—
A · Colimación—
B · Original—
B · Colimación—

Calcular el ángulo de divergencia FWHM utilizando las típicas zonas luminosas de la base de datos y hacer una estimación simplificada según el campo lejano de un haz gaussiano y el límite de difracción. El patrón de simulación utiliza una escala logarítmica para observar simultáneamente los patrones de luz originales de nivel metro y los patrones colimados de submetro; los resultados reales aún necesitan pruebas del sistema completo.

HOW IT WORKS

Emisión de cuatro capas, ¿cómo sirve al sistema de pequeño punto de luz?

La estructura de múltiples capas emisoras dentro del chip y el patrón de luz final en el objetivo no son el mismo concepto. A continuación se explica por separado la relación "estructura del chip — divergencia de salida — modelado óptico — patrón de luz en el objetivo".

Imagen de efecto de emisión lineal de cuatro capas en campo cercano de la hoja de datos PLD905-40W-MCL

Mapa de campo cercano según la hoja de especificaciones: efecto de luz lineal de cuatro capas

La imagen proviene de la hoja de especificaciones del PLD905-40W-MCL (V3.0). Muestra el efecto cercano/emisión del dispositivo, no es equivalente a la prueba del patrón de luz en la superficie del objetivo a distancia.

STACKED EMITTER CONCEPT

Un chip, cuatro emisores apilados epitaxialmente

La estructura esquemática se utiliza para ayudar a comprender la relación en capas; la estructura epitelial interna del chip real debe basarse en el proceso de fabricación y los datos de perfil del dispositivo.

Layer 04Capa emisora
EMITTER 4
Layer 03Capa emisora
EMITTER 3
Layer 02Capa emisora
EMITTER 2
Layer 01Capa emisora
EMITTER 1
Puntos clave de diseño:Las áreas de emisión microscópicas, la conformación de salida FAC y el sistema óptico trasero necesitan una optimización coordinada. No se puede inferir directamente el diámetro del punto en un objetivo lejano solo basándose en el tamaño del área de emisión del chip de 40 × 18 μm.
STEP 01

Emisión de chip

Área emisora microscópica y estructura de apilamiento epitaxial de cuatro capas proporcionan salida de luz pulsada.

STEP 02

FAC y colimación

Controlando el ángulo de divergencia en diferentes direcciones mediante elementos ópticos.

STEP 03

Propagación de campo lejano

El tamaño del haz varía con la distancia, el diseño óptico y el error de ensamblaje.

STEP 04

Pequeño punto de luz en la superficie objetivo

Confirmar el tamaño del punto, la uniformidad y la distribución de energía mediante pruebas de prototipo.

APPLICATIONS

Desde la bandera de bloqueo de golf hasta la medición de distancia de un solo fotón a larga distancia

El PLD905-40W-MCL puede usarse como fuente pulsada de 905 nm, integrándose en telémetros láser, sensores láser y sistemas de medición con drones. La distancia de medición, precisión y resistencia a interferencias dependen del enlace completo de emisión/recepción.

⌖

Medición de distancia al banderín de golf y objetivos finos

Los objetivos como banderas son relativamente pequeños y están rodeados por un fondo rico en detalles. El diseño de emisión con patrón de luz pequeño ayuda a reducir la proporción del haz que cubre el área de fondo, complementando el campo de visión del receptor y los algoritmos para mejorar la selectividad del objetivo.

FLAG LOCK · TARGET SELECTIVITY
◉

Solución de medición de distancia mediante recepción de fotones individuales a larga distancia

Junto con detectores de fotón único de alta sensibilidad, filtros de banda estrecha, electrónica de detección temporalmente correlacionada y un diámetro de recepción adecuado, se puede construir un enlace de medición de distancia de ecos débiles a larga distancia. Los parámetros del emisor por sí solos no pueden garantizar directamente la distancia de medición en kilómetros específica.

SINGLE-PHOTON RECEIVER SYSTEM
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Percepción de distancia y evitación de obstáculos del dron

Un transmisor TO56 ligero puede usarse en sensores de distancia a bordo, medición a corta, media y larga distancia, y en el desarrollo del lado emisor de soluciones de percepción espacial. Todo el conjunto debe verificarse según los requisitos de vibración, temperatura, consumo de energía y seguridad ocular.

UAV RANGING · OBSTACLE AWARENESS
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Equipos especiales de fotónica y medición al aire libre

Apto para evaluar su uso en telémetros láser profesionales, mediciones industriales y sistemas optoelectrónicos especiales. Sus ventajas incluyen dispositivos compactos, salida de pulso corto y la posibilidad de integrarse en sistemas con esquemas ópticos de patrones de luz pequeños.

SPECIALTY OPTOELECTRONICS

Sobre la “penetración de obstáculos”: un punto de luz pequeño no significa que el láser pueda atravesar objetos opacos. El beneficio del sistema es más preciso en ambientes con obstáculos dispersos como ramas, usando orientación y procesamiento de eco, intentando seleccionar objetivos detrás de huecos y suprimir ecos de fondo; el efecto real debe confirmarse mediante pruebas en el escenario.

INTEGRATION VALUE

Integración de un solo chip: deja espacio para consistencia y eficiencia de ensamblaje.

En comparación con una solución compuesta por múltiples chips láser independientes, la integración de cuatro capas de emisión en un solo chip puede reducir los pasos de instalación y alineación entre los chips discretos; la consistencia específica de la producción en masa aún debe evaluarse combinando datos de lotes, pruebas de envejecimiento y verificación del sistema completo.

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Valor de ingeniería desde el dispositivo hasta el módulo

  • ✓Integración estructural:Cuatro emisores de apilamiento epitaxial integrados en un solo chip, reducen los pasos de ensamblaje de chips independientes.
  • ✓Enlace de alineación más simplificado:Evitar las variaciones de ensamblaje causadas por la ubicación individual de múltiples chips emisores.
  • ✓Embalaje compacto:Forma de empaque metálico TO56, facilita la integración en módulos de medición de distancia para el diseño mecánico y térmico.
  • ✓Selección trazable:Se ofrecen versiones de tres pines y paso de 2.0 mm, se debe seleccionar según la definición eléctrica.
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El pequeño punto de luz no depende solo del chip

  • ✓Extremo emisor:Área luminosa del chip, ángulo de divergencia, FAC y calidad de la superficie óptica.
  • ✓Extremo óptico:Distancia focal de colimación, apertura efectiva, aberraciones, excentricidad e inclinación en el ensamblaje.
  • ✓Extremo objetivo:Distancia, reflectividad del objetivo, actitud, fondo y condiciones atmosféricas.
  • ✓Extremo receptor:Diámetro de la apertura receptora, ángulo de campo de visión, ancho de banda del filtro, rendimiento del detector y control de tiempo.
Sugerencia de ingeniería: Al evaluar un patrón de luz pequeño, registre simultáneamente el diámetro del patrón a diferentes distancias, la distribución de energía, la potencia máxima, el ancho de pulso y las condiciones de temperatura, en lugar de basarse solo en el tamaño del área emisora para sacar conclusiones.
SPECIFICATION CURVES

Auxiliar en la selección con curvas de especificaciones reales

Las imágenes siguientes se tomaron de las curvas características típicas en la hoja de especificaciones del producto para mostrar la tendencia de las características del dispositivo; los valores reales y los rangos discretos deben basarse en los informes de prueba correspondientes.

01 / POWER · VOLTAGE · CURRENTCurva de potencia, voltaje y corriente del PLD905-40W-MCL en la hoja de especificaciones

Relación potencia—voltaje—corriente

Condiciones estándar de la especificación: Ancho de pulso 100 ns, frecuencia 3 kHz, temperatura ambiente 25°C.

02 / SPECTRAL CHARACTERISTICSCurva espectral de 905 nm del PLD905-40W-MCL

Características espectrales de 905 nm

Anchura espectral típica aprox. 7 nm; la longitud de onda de emisión cambia con la temperatura de la unión y las condiciones de operación.

03 / FAR-FIELD PATTERNCurva de ángulo de divergencia en campo lejano del PLD905-40W-MCL

Características del ángulo de divergencia en campo lejano

Se utiliza para comprender la distribución de divergencia en diferentes direcciones, el efecto final de colimación depende del diseño óptico del sistema.

04 / PACKAGE DRAWINGDiagrama de dimensiones del encapsulado TO56 del PLD905-40W-MCL

Referencia de forma de encapsulado TO56

Incluye las versiones PLD905-40W-MCL y PLD905-40W-MCL-2.0. Antes de la compra y el ensamblaje, verifique las dimensiones mecánicas y la definición de pines con los planos oficiales actuales.

TECHNICAL DATA

Parámetros técnicos de PLD905-40W-MCL

Los siguientes parámetros provienen de la hoja de especificaciones de "PLD905-40W-MCL (V3.0)". Salvo indicación contraria, los parámetros característicos se especifican bajo TA = 25°C.

ParámetroValores típicos / RangoUnidadDescripción
Modelo del productoPLD905-40W-MCL / PLD905-40W-MCL-2.0—Encapsulado metálico TO56
Potencia de salida pico40(37–44)WValor típico 40 W; valor máximo nominal según la hoja de datos 44 W (operación a corto plazo)
Longitud de onda de emisión905(895–915)nmParámetros de características de la hoja de especificaciones
Ancho de espectro (FWHM)7nmValor típico
Coeficiente de temperatura de la longitud de onda0.28nm/KValor típico; longitud de onda no constante
Emisor de apilamiento epitaxial4CapaIntegración de un solo chip
Tamaño del área emisora40 × 18μmZona emisora del chip, no es el tamaño del punto de luz en la superficie objetivo
Rango de ancho de pulso de funcionamiento1–100nsRango de aplicación dado por las características del producto; finalmente, basarse en las condiciones de conducción.
Condiciones de trabajo estándar (términos de la hoja de especificaciones)100 ns / 3 kHz / 12 A / 25°C—Para condiciones de curva de características típicas
Voltaje de funcionamiento12.6(12–13.2)VValor típico (TA = 25°C)
Corriente de funcionamiento12(11–13)AValor típico (TA = 25°C)
Corriente umbral0.75(0.5–1)AValor típico (TA = 25°C)
Ángulo de divergencia del haz (paralelo a la unión pn, FWHM)Típico 9 / Máximo 10°Definición de la especificación
Ángulo de divergencia del haz (perpendicular a la unión pn, FWHM)Típico 6 / Máximo 8°Definición de la especificación
Temperatura de funcionamiento−40 a 85°CRango de funcionamiento del dispositivo
Temperatura de almacenamiento−40 a 100°CRango de almacenamiento
Voltaje inverso20VValor máximo nominal
Ciclo de trabajo0.1%Condiciones de funcionamiento a corto plazo en la tabla de valores máximo nominal

Notas de parámetros: Los datos típicos de la hoja de especificaciones son resultados estadísticos y no garantizan que cada dispositivo sea exactamente igual al valor típico. Las condiciones de trabajo del dispositivo, la forma del pulso, la temperatura de unión y el circuito de conducción afectan la salida real.

PULSE BASICS

Cálculo interactivo: comprender la potencia pico, la energía del pulso y la potencia promedio.

Una potencia pico alta no significa que el consumo de energía promedio también sea alto. Para los láseres pulsados, el ancho de pulso y la frecuencia de repetición determinan conjuntamente la salida de energía y el ciclo de trabajo.

Energía teórica por pulso4.00 μJEstimación de pulso rectangular ideal
Potencia óptica media teórica12.0 mWEnergía de pulso único × Frecuencia de repetición
DUTY CYCLE CHECK

Ciclo de trabajo y condiciones de conducción

Arrastre los parámetros del lado izquierdo para observar los cambios en el ciclo de trabajo. El funcionamiento real del dispositivo debe cumplir simultáneamente con el ancho de pulso, la corriente pico, el aumento de temperatura, el valor máximo nominal y las restricciones del circuito de conducción.

Ciclo de trabajo actual0.030%
0%Referencia al valor máximo nominal en la hoja de especificaciones: 0.1%

El ciclo de trabajo actual es inferior al valor nominal máximo de referencia de 0,1% en la hoja de especificaciones, pero todavía se deben confirmar las condiciones de prueba específicas y el valor nominal completo del dispositivo.

Fórmula estimativa: energía de un pulso ≈ potencia pico × ancho de pulso; potencia promedio ≈ energía de un pulso × frecuencia de repetición. El cálculo asume un pulso rectangular; la energía real del pulso debe medirse integrando la forma de onda real; el resultado calculado no reemplaza las especificaciones del producto ni la evaluación de seguridad.

ENGINEERING FAQ

Preguntas frecuentes antes de la selección

¿40 × 18 μm es el tamaño del punto de luz en el objetivo?

No. Este es el tamaño del área emisora del chip. El patrón de luz en la superficie del objetivo también se ve afectado por el ángulo de divergencia, la distancia focal del colimador, el diámetro de la lente, el ajuste y la distancia de propagación. Se recomienda confirmar mediante pruebas de patrón de luz del dispositivo completo.

¿Los 40 W representan potencia de salida continua?

No. Este modelo es un diodo láser pulsado, 40 W es la potencia de salida pico típica. La potencia óptica promedio depende de la forma del pulso, el ancho de pulso y la frecuencia de repetición.

¿Puede garantizar directamente la medición de distancia de un solo fotón a larga distancia?

No puede depender únicamente del transmisor. La medición de distancia de fotón único a larga distancia requiere detectores, óptica receptora, filtros estrechos, electrónica de medición temporal y algoritmos de supresión de fondo, combinados con la reflectividad del objetivo y pruebas ambientales.

¿Significa un pequeño punto de luz que puede penetrar obstáculos sólidos?

No significa que atraviese objetos. Un punto de luz pequeño principalmente ayuda a la selección de objetivos y a reducir parte del eco de fondo. En objetos opacos, el láser de 905 nm no puede promocionarse simplemente como penetrante; escenas como huecos entre vegetación dispersa deben describirse según los resultados de pruebas reales.

⚠

Advertencias de seguridad láser

905 nm es luz infrarroja cercana invisible, que podría causar daño ocular. El manual de especificaciones requiere que el dispositivo siga los requisitos de seguridad de productos láser IEC 60825-1. Durante las pruebas e integración se deben establecer medidas de bloqueo de luz, interbloqueo, terminación del haz y protección adecuada, evitando mirar directamente o al reflejo en espejos.

ENGINEERING SUPPORT

Hacer que la solución de pequeño punto de luz vuelva a los indicadores de prueba reales

¿Preparado para introducir el PLD905-40W-MCL en el módulo de medición de distancia? Se recomienda confirmar al mismo tiempo los parámetros de pulso de trabajo, el circuito de conducción, la ruta térmica, el esquema de alineación óptica, los indicadores del punto de luz en la superficie del objetivo y los parámetros del enlace de recepción.

↗

Información de comunicación del plan recomendado

Rango de medición del objetivo, tamaño y reflectividad del objetivo, diámetro de haz requerido, frecuencia de repetición, ancho de pulso, tipo de detector receptor, temperatura de operación y versión de pines del paquete.

Sitio web oficial: www.leirte.com
Empresa:Shenzhen Reerte Optoelectronics Co., Ltd.
MODEL SELECTION

PLD905-40W-MCL

905 nm · Compresión del eje rápido FAC · Cuatro capas emisoras · Empaque metálico TO56

Versión de tres pinesVersión con espaciado de 2,0 mm
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