Produkt technische Unterlagen

PLD905-40W-MCL Kleinlichtfleck FAC gepulste Laserdiode und Ein-Photonen-Entfernungsmessungsanwendungen

Je nach Modell werden 40 × 18 μm kleine Emissionsflächen, vierlagige Stapelung, FAC-Fast-Axis-Kompression, 40W-Pulsausgang, Strahleigenschaften und die Integrationsschwerpunkte für die Einphotonendistanzmessung analysiert.

Deutsch 905 nm · 40 W · FAC · 40 × 18 μm Updated 2026-10-23
905 nm · FAC PULSED LASER DIODE

Kleine Leuchtzone
Kleinerer Lichtfleck aktivieren

PLD905-40W-MCL basiert auf einer 40 × 18 μm kleinen Leuchtfläche, verwendet FAC-Schnellachsenkompression und eine Struktur mit vier einzeln gestapelten Emitter auf einem Chip, ausgelegt für kleine Lichtflecke, Langstreckenmessung und präzise Zielauswahl.

40 W Typische Spitzenleistung4 Schichten Epitaxial gestapelter Emitter40 × 18 μm Leuchtbereich905 nm Nahes Infrarot
PLD905 · MICRO APERTUREOPTICAL DESIGN
PLD905-40W-MCL TO56 Metallgehäuse tatsächliches Foto
40 × 18μm aperture
TO56 metal package
FAC · 4 emitters
STACKED EMISSIONSMALL SPOT CONCEPTSPOT4-LAYER
Schematische Darstellung des Konzepts, stellt nicht die gemessene Größe der Zieloberfläche darMICRO-SPOT DESIGN
40 WTypical peak optical output
40 WTypische optische SpitzenleistungTechnische Parameter im Datenblatt: 37–44 W
4 EmissionsschichtenEinzelchip-Epitaxie-StapelstrukturNicht vier separate LD zusammengebaut
40 × 18 μmGröße des Licht emittierenden Bereichs des ChipsKleine Lichtquelle, Grundlage für die Lichtfleckgestaltung
1–100 nsAuf den Betrieb mit kurzen Impulsen ausgerichtetKonkrete Antriebsbedingungen müssen den Nennwert erfüllen
WHY SMALL SPOT

Nicht nur auf Leistung achten, sondern mehr
Wo landet die Energie auf dem Ziel

Für Entfernungsmesssysteme muss die Sendeeinheit nicht nur ausreichend Spitzenleistung liefern, sondern auch gemeinsam mit Kollimationsoptik, Empfangsfeld und Zielgröße ausgelegt werden. Ein feinerer Lichtfleck hilft, die Zielselektivität zu erhöhen, die endgültige Leistung muss jedoch durch optische Tests am Gesamtsystem bestätigt werden.

◎
01 / MICRO APERTURE

40 × 18 μm winziger Leuchtbereich

Die kleine Chip-Emissionsfläche bietet eine Designgrundlage für kompakte optische Systeme. In Kombination mit geeigneten Kollimations- und Formungslinsensätzen trägt dies zur Kontrolle des austretenden Lichtstrahls bei und ermöglicht die Optimierung auf kleinere Zielbeleuchtungsbereiche.

⌁
02 / FAC DESIGN

FAC Fast-Achsen-Kompressionsdesign

Das Produktspezifikationsblatt gibt eindeutig an, dass ein Fast-Axis-Compression (FAC)-Design verwendet wird. Es dient zur Formung des Laserlichtausgangs der Diode und unterstützt das System bei der Behandlung der Divergenz des vom Chip ausgehenden Lichts; die Linsenanordnung und die Montagequalität beeinflussen die endgültige Strahlgröße.

▤
03 / FOUR EMITTERS

Einzelchip vierlagiger Epitaxie-Stapel

Ein Chip enthält vier epitaxial gestapelte Emitter, die den in den Spezifikationen angegebenen vierstufigen Lichteffekt erzeugen. Das integrierte Design reduziert die diskrete Montage und Ausrichtung mehrerer einzelner Emitterchips.

⌖
04 / TARGET SELECTIVITY

Für die Auswahl feiner Zielobjekte entwickelt

Bei Golf-Flaggen, kleinen reflektierenden Zielen oder komplexem Hintergrund kann ein kleiner Lichtfleck den Anteil des Lichts, der auf die Umgebung fällt, reduzieren und dem System helfen, die Distanzmessenergie auf die gewünschte Position zu konzentrieren.

BEAM COLLIMATION SIMULATOR

Vergleich des ursprünglichen Strahlflecks der beiden Laser mit der 1200-m-Kollimation

Wählen Sie oben und unten zwei 905-nm-Laser, stellen Sie jeweils eine Kollimationslinse ein und vergleichen Sie rechts nebeneinander die Ergebnisse des 1200-m-Strahlflecks mit den Änderungen des simulierten Strahlflecks.

A
LASER A

Laser A

Ursprünglicher Leuchtbereich220 × 18 μm
Divergenzwinkel der langsamen Achse9°
Divergenzwinkel der schnellen Achse6°
ONE-LENS DATA

Kollimationslinse A

SIDE VIEW · SLOW AXISCLEAR
CHIP LENS BEAM
Chip220 μm · SLOW
Effektiver Durchmesser20 mm
B
LASER B

Laser B

Ursprünglicher Leuchtbereich40 × 18 μm
Divergenzwinkel der langsamen Achse9°
Divergenzwinkel der schnellen Achse25°
ONE-LENS DATA

Kollimationslinse B

SIDE VIEW · SLOW AXISCLEAR
CHIP LENS BEAM
Chip40 μm · SLOW
Effektiver Durchmesser6 mm

Produktdatenbank wird geladen...

Feste Simulationsdistanz1200 m
Warten auf Berechnung der beiden Laser...
A—
—
Ursprünglicher Spot · langsame Achse—
Ursprünglicher Spot · schnelle Achse—
Kollimierter Spot · langsame Achse—
Kollimierter Spot · schnelle Achse—
Langsamachse nach Kollimation—
Schnellachse nach Kollimation—
Langsachskompression—
Schnellachs-Kompression—
B—
—
Ursprünglicher Spot · langsame Achse—
Ursprünglicher Spot · schnelle Achse—
Kollimierter Spot · langsame Achse—
Kollimierter Spot · schnelle Achse—
Langsamachse nach Kollimation—
Schnellachse nach Kollimation—
Langsachskompression—
Schnellachs-Kompression—

1200 m Simulierung der Spot-Änderung

Der gleiche logarithmische Maßstab zeigt den ursprünglichen und den kollimierten Strahlfleck an
A · Ursprünglich—
A · Kollimation—
B · Ursprünglich—
B · Kollimation—

Berechnen Sie die typischen Leuchtbereiche in der Datenbank und den FWHM-Aberrationswinkel und führen Sie eine vereinfachte Schätzung basierend auf dem Fernfeld eines gaußschen Strahls und der Beugungsgrenze durch. Der simulierte Strahlfleck verwendet eine logarithmische Skala, um sowohl den ursprünglichen Strahlfleck im Meterbereich als auch den kollimierten Strahlfleck im Submeterbereich gleichzeitig beobachten zu können; die tatsächlichen Ergebnisse müssen weiterhin an der gesamten Maschine getestet werden.

HOW IT WORKS

Vier Lagen Lichtaustritt, wie unterstützt er das kleine Lichtfleck-System?

Die mehrschichtige Emitterstruktur innerhalb des Chips und der endgültige Lichtfleck am Ziel sind nicht dasselbe Konzept. Im Folgenden wird die Beziehung „Chipstruktur – Austrittsdivergenz – optische Formung – Ziellichtfleck“ aufgeschlüsselt.

PLD905-40W-MCL Spezifikationsblatt Nahfeld vierlagiges lineares Leuchtbild

Nahfeldabbildung im Datenblatt: Vier Schichten lineare Lichteffekte

Das Bild stammt aus dem Datenblatt des PLD905-40W-MCL (V3.0). Gezeigt wird der Nahbereich/Leuchteffekt des Bauteils, was nicht mit einem Test des Lichtflecks auf ein entferntes Ziel gleichzusetzen ist.

STACKED EMITTER CONCEPT

Ein Chip, vier epitaxial gestapelte Emitter

Die schematische Struktur dient dazu, das Schichtverhältnis zu verstehen; die tatsächliche Epitaxiestruktur innerhalb des Chips richtet sich nach dem Fertigungsprozess und den Bauteilschnittunterlagen.

Layer 04Emissionsschicht
EMITTER 4
Layer 03Emissionsschicht
EMITTER 3
Layer 02Emissionsschicht
EMITTER 2
Layer 01Emissionsschicht
EMITTER 1
Designpunkte:Die kleine Emissionsfläche, FAC-Ausgangsformung und das hintere optische System müssen gemeinsam optimiert werden. Die Strahldurchmesser auf weit entfernten Zielen können nicht direkt allein aus den 40 × 18 μm Chip-Emissionsflächen abgeleitet werden.
STEP 01

Chip leuchtet

Kleine Leuchtfläche und vierlagige Epitaxie-Stapelstruktur liefern gepulstes Licht.

STEP 02

FAC und Kollimation

Kombinieren Sie optische Bauelemente, um den Divergenzwinkel in verschiedene Richtungen zu steuern.

STEP 03

Fernfeld-Ausbreitung

Strahlgröße variiert mit Abstand, optischem Design und Montagefehlern.

STEP 04

Kleiner Lichtfleck auf der Zieloberfläche

Bestätigung der Fleckengröße, Gleichmäßigkeit und Energiedistribution durch Prototypentest.

APPLICATIONS

Von der Golf-Flagge zur Ein-Photonen-Entfernungsmessung auf große Distanz

PLD905-40W-MCL kann als 905 nm gepulste Lichtquelle eingesetzt werden, integriert in Laser-Entfernungsmesser, Lasersensoren und UAV-Messsysteme. Reichweite, Genauigkeit und Störfestigkeit werden durch die vollständige Sende-/Empfangskette bestimmt.

⌖

Golf-Fahne und präzise Zielentfernungsmessung

Ziele wie Flaggen sind relativ klein und die Umgebung komplex. Die Emission in kleinem Lichtfleck reduziert den Anteil des Lichts, der die Hintergrundbereiche abdeckt, und verbessert zusammen mit dem Sichtfeld des Empfängers und der Software die Zielselektivität.

FLAG LOCK · TARGET SELECTIVITY
◉

Langstrecken-Einzelphotonen-Empfangs-Messverfahren

In Kombination mit hochsensiblen Einphotonendetektoren, Schmalbandfiltern, zeitkorrelierter Detektionselektronik und einem geeigneten Empfangsapertur kann ein Ferndistanz-Messlink aufgebaut werden. Allein anhand der Parameter des Emitters lässt sich die konkrete Reichweite in Kilometern nicht direkt garantieren.

SINGLE-PHOTON RECEIVER SYSTEM
⌁

Drohnen-Entfernungsmessung und Hindernisvermeidungserkennung

Der leichte TO56-Emitter kann für die Entwicklung von lichtgestützten Distanzsensoren an Bord, für Nah-, Mittel- und Fernbereichsmessungen sowie für Raumwahrnehmungslösungen verwendet werden. Das Gesamtsystem muss auf Vibration, Temperatur, Leistungsaufnahme und Augensicherheit überprüft werden.

UAV RANGING · OBSTACLE AWARENESS
▥

Spezielle optoelektronische und Outdoor-Messgeräte

Geeignet zur Bewertung für professionelle Laser-Entfernungsmesser, industrielle Messungen und spezielle optoelektronische Systeme. Vorteile liegen in kompakten Bauteilen, Kurzpulsausgang und der Möglichkeit, kleine Lichtfleck-Optiken in Systemintegrationen zu verwenden.

SPECIALTY OPTOELECTRONICS

Über „Hindernisdurchdringung“: Ein kleiner Lichtfleck bedeutet nicht, dass der Laser undurchsichtige Objekte durchdringen kann. Der genauere Systemvorteil liegt darin, innerhalb von locker bewachsenen Umgebungen wie Ästen und Blättern zusammen mit Zielausrichtung und Echosignalverarbeitung zu versuchen, Ziele hinter Lücken auszuwählen und teilweise Hintergrund-Echos zu unterdrücken; die tatsächliche Effektivität muss durch Szenariotests bestätigt werden.

INTEGRATION VALUE

Einzelchip-Integration: Platz für Konsistenz und Montageeffizienz vorgesehen.

Im Vergleich zu einer Lösung, die aus mehreren unabhängigen Laserdiodenchips besteht, kann die Integration von vier Emitterschichten auf einem einzelnen Chip die Montage- und Ausrichtungsprozesse zwischen den separaten Chips reduzieren; die konkrete Konsistenz in der Serienproduktion muss jedoch weiterhin anhand von Chargendaten, Alterungstests und Gesamtsystemvalidierung bewertet werden.

▦

Ingenieurwert vom Bauelement bis zum Modul

  • ✓Strukturintegration:Vier äußere Stapel-Emitter sind in einem einzigen Chip integriert, wodurch die Schritte der Montage unabhängiger Chips reduziert werden.
  • ✓Vereinfachter Abgleich der Verbindung:Vermeidung von Teilmontagevariablen, die durch separate Positionierung mehrerer Emissionschips entstehen.
  • ✓Kompaktes Gehäuse:TO56 Metallgehäuseform, geeignet zur Integration in Entfernungsmessmodule für mechanisches und thermisches Design.
  • ✓Nachverfolgbare Auswahl:Erhältlich in zwei Modellversionen: Drei-Pin und 2,0 mm Abstand, Auswahl gemäß elektrischer Definition erforderlich.
⌁

Der kleine Lichtfleck wird nicht nur vom Chip bestimmt

  • ✓Sendeeinheit:Chip-Leuchtzone, Abstrahlwinkel, FAC und optische Oberflächenqualität.
  • ✓Optische Seite:Kollimationsfokus, effektive Apertur, Aberration, Montage-Exzentrizität und -Neigung.
  • ✓Zielseite:Abstand, Zielreflektivität, Ausrichtung, Hintergrund und atmosphärische Bedingungen.
  • ✓Empfangseinheit:Empfangsobjektivdurchmesser, Sichtfeldwinkel, Filterbandbreite, Detektorleistung und Zeitsteuerung.
Ingenieurhinweis: Beim Bewerten kleiner Lichtflecken sollten gleichzeitig Lichtfleckdurchmesser, Energiedistribution, Spitzenleistung, Pulsbreite und Temperaturbedingungen in unterschiedlichen Entfernungen aufgezeichnet werden, anstatt nur auf Basis der Leuchtflächengröße Schlüsse zu ziehen.
SPECIFICATION CURVES

Auswahlhilfe mit echten Spezifikationskurven

Die folgenden Bilder stammen aus den typischen Charakteristikdiagrammen des Produktdatenblatts und zeigen die Trends der Bauteileigenschaften; tatsächliche Werte und Streubereich sind gemäß den entsprechenden Testberichten maßgeblich.

01 / POWER · VOLTAGE · CURRENTPLD905-40W-MCL Datenblatt Leistung-Spannung-Strom-Kurve

Leistungs–Spannungs–Strom-Beziehung

Spezifikationsstandardbedingungen: Impulsbreite 100 ns, Frequenz 3 kHz, Umgebungstemperatur 25°C.

02 / SPECTRAL CHARACTERISTICSPLD905-40W-MCL 905nm Spektralkurve

905 nm Spektraleigenschaften

Typische spektrale Breite ca. 7 nm; die Emissionswellenlänge ändert sich mit der Flächentemperatur und den Betriebsbedingungen.

03 / FAR-FIELD PATTERNPLD905-40W-MCL Fernfeld-Effusionswinkel-Kurve

Charakteristik des Fernfeld-Divergenzwinkels

Dient zum Verständnis der Divergenzverteilung in unterschiedlichen Richtungen, das endgültige Kollimierungsergebnis hängt vom optischen Systemdesign ab.

04 / PACKAGE DRAWINGPLD905-40W-MCL TO56 Gehäuseabmessungsdiagramm

TO56 Gehäuseform Referenz

Umfasst die Versionen PLD905-40W-MCL und PLD905-40W-MCL-2.0. Vor Beschaffung und Montage prüfen Sie bitte die mechanischen Abmessungen und Pin-Definitionen anhand der aktuellen offiziellen Zeichnungen.

TECHNICAL DATA

PLD905-40W-MCL technische Daten

Die folgenden Parameter stammen aus dem Datenblatt „PLD905-40W-MCL (V3.0)“. Sofern nicht anders angegeben, gelten die Spezifikationsparameter bei TA = 25°C.

ParameterTypische Werte / BereichEinheitErklärung
ProduktmodellPLD905-40W-MCL / PLD905-40W-MCL-2.0—TO56 Metallgehäuse
Spitzen-Ausgangsleistung40(37–44)WTypischer Wert 40 W; maximal spezifizierter Wert 44 W (Kurzzeitbetrieb)
Emissionswellenlänge905(895–915)nmSpezifikationsmerkmale
Spektrale Breite (FWHM)7nmTypischer Wert
Wellenlängen-Temperaturkoeffizient0.28nm/KTypischer Wert; Wellenlänge nicht konstant
Epitaxial gestapelter Emitter4SchichtEinzelchip-Integration
Leuchtbereichsgröße40 × 18μmLeuchtbereich des Chips, nicht die Lichtfleckgröße der Zieloberfläche
Betriebs-Pulsbreitebereich1–100nsAnwendungsbereich gemäß Produktspezifikationen; letztlich maßgeblich sind die Betriebsbedingungen.
Standardbetriebsbedingungen (Datenblattbegriff)100 ns / 3 kHz / 12 A / 25°C—Für typische Kennlinienbedingungen
Betriebsspannung12.6(12–13.2)VTypische Werte (TA = 25°C)
Betriebsstrom12(11–13)ATypische Werte (TA = 25°C)
Schwellstrom0.75(0.5–1)ATypische Werte (TA = 25°C)
Strahlabstrahlwinkel (parallel zur pn-Verbindung, FWHM)Typisch 9 / Maximal 10°Spezifikationsdefinition
Strahlabstrahlwinkel (senkrecht zur pn-Verbindung, FWHM)Typisch 6 / Maximal 8°Spezifikationsdefinition
Betriebstemperatur−40 bis 85°CBetriebsbereich des Geräts
Lagertemperatur−40 bis 100°CSpeicherbereich
Sperrspannung20VMaximaler Nennwert
Tastverhältnis0.1%Kurzzeitige Betriebsbedingungen in der Tabelle der maximalen Nennwerte

Parameterhinweis: Die typischen Werte in den Spezifikationen sind statistische Ergebnisse und garantieren nicht, dass jedes Bauteil genau dem typischen Wert entspricht. Arbeitsbedingungen des Bauteils, Pulsform, Verbindungstemperatur und Treiberschaltung beeinflussen die tatsächliche Ausgangsleistung.

PULSE BASICS

Interaktive Berechnung: Verständnis von Spitzenleistung, Pulsenergie und Durchschnittsleistung.

Hohe Spitzenleistung bedeutet nicht zwangsläufig eine ebenso hohe Durchschnittsleistung. Bei gepulsten Lasern bestimmen Pulsbreite und Wiederholfrequenz gemeinsam die Energieausgabe und das Tastverhältnis.

Theoretische Einzelimpulsenergie4.00 μJAbschätzung des idealen Rechteckimpulses
Theoretische durchschnittliche optische Leistung12.0 mWEinzelpulsenergie × Wiederholfrequenz
DUTY CYCLE CHECK

Tastverhältnis und Antriebsbedingungen

Ziehen Sie die Parameter auf der linken Seite, um die Änderung des Tastverhältnisses zu beobachten. Der tatsächliche Betrieb des Bauteils muss gleichzeitig Pulsbreite, Spitzenstrom, Temperaturanstieg, maximal zulässige Werte und die Einschränkungen der Treiberschaltung erfüllen.

Aktuelles Tastverhältnis0.030%
0%Referenz für den maximalen Nennwert im Datenblatt: 0,1%

Das aktuelle Tastverhältnis liegt unter dem in den Spezifikationen angegebenen maximalen Wert von 0,1 %, es müssen jedoch die spezifischen Testbedingungen und die vollständigen Bauteilgrenzen bestätigt werden.

Schätzformel: Einzelschussenergie ≈ Spitzenleistung × Pulsdauer; Durchschnittsleistung ≈ Einzelschussenergie × Wiederholfrequenz. Berechnungen gehen von rechteckigen Pulsen aus, die tatsächliche Pulsenergie muss auf Grundlage der gemessenen realen Wellenform integriert werden; berechnete Werte dürfen nicht als Ersatz für Produktspezifikationen oder Sicherheitsbewertungen verwendet werden.

ENGINEERING FAQ

Häufige Fragen vor der Auswahl

40 × 18 μm ist die Lichtfleckgröße am Ziel?

Nein. Dies ist die Größe der Leuchtfläche des Chips. Der Lichtfleck auf der Zieloberfläche wird zusätzlich von Divergenzwinkel, Kollimatorlinsenbrennweite, Linsendurchmesser, Montage und Ausbreitungsdistanz beeinflusst. Es wird empfohlen, den Lichtfleck am Gesamtsystem zu testen.

Bedeutet 40 W kontinuierliche Ausgangsleistung?

Nein. Dieses Modell ist eine gepulste Laserdiode, 40 W ist die typische Spitzenleistung. Die durchschnittliche Lichtleistung hängt von Pulsform, Pulsbreite und Wiederholfrequenz ab.

Kann er direkt die Ein-Photonen-Entfernungsmessung über große Entfernungen garantieren?

Dies kann nicht allein durch den Emitter gewährleistet werden. Ferndistanz-Einphotonen-Distanzmessung erfordert passende Detektoren, Empfangsoptik, Schmalbandfilter, Zeiterfassungselektronik und Hintergrundunterdrückungsalgorithmen sowie Berücksichtigung der Zielreflexion und Umwelttests.

Bedeutet ein kleiner Lichtfleck, dass er feste Hindernisse durchdringen kann?

Das bedeutet nicht, dass der Laser undurchsichtige Objekte durchdringen kann. Kleine Lichtflecken helfen hauptsächlich bei der Zielauswahl und bei der Reduzierung von Teilhintergrund-Echos. Für undurchsichtige Objekte darf 905 nm Laser nicht als durchdringend beworben werden; Szenarien mit Lücken in lockerem Bewuchs müssen anhand tatsächlicher Testergebnisse beschrieben werden.

⚠

Lasersicherheitswarnung

905 nm ist unsichtbares nahes Infrarotlicht und kann potenziell Augenschäden verursachen. Das Datenblatt verlangt, dass Geräte gemäß IEC 60825-1 Sicherheitsanforderungen für Laserprodukte verwendet werden. Während Tests und Integration sollten Lichtabschirmung, Verriegelung, Strahlendämpfung und angemessene Schutzmaßnahmen eingerichtet werden, um direkte Betrachtung oder Spiegelreflexion ins Auge zu vermeiden.

ENGINEERING SUPPORT

Die kleine Lichtfleck-Lösung auf reale Testindizes zurückführen

Planen Sie, das PLD905-40W-MCL in ein Distanzmessmodul zu integrieren? Es wird empfohlen, gleichzeitig die Arbeitsimpulsparameter, die Ansteuerschaltung, den Wärmepfad, das optische Kollimationskonzept, die Zieloberflächen-Strahlflächenspezifikationen und die Parameter des Empfangsweges zu überprüfen.

↗

Empfohlene Kommunikationsinformationen für die Lösung

Zielmessbereich, Zielgröße und Reflexionsgrad, erforderlicher Lichtfleckdurchmesser, Wiederholfrequenz, Pulsbreite, Art des Empfangsdetektors, Betriebstemperatur und Gehäuse-Pin-Ausführung.

Offizielle Website: www.leirte.com
Firma:Shenzhen LaserTech Opto-Electronics Co., Ltd.
MODEL SELECTION

PLD905-40W-MCL

905 nm · FAC Schnellachsenkompression · Vier Emitterschichten · TO56 Metallgehäuse

Drei-Pin-Version2,0 mm Abstand Version
Per WhatsApp schreiben
↑
Einen Ingenieur fragen