905 nm Pulsed Laser Diode Chip
905LD25W-A
25 W peak 905 nm chip, 3-layer stack
A 905 nm edge-emitting laser chip built on strained quantum-well material with a stacked tunnel-junction structure. The 3-layer stack reaches 25 W peak power while keeping forward current low, which lowers driver cost. The chip is designed for both plastic and hermetic metal packaging.
Portée estimée
Les estimations de portée concernent les émetteurs pulsés. Ce composant est spécifié par ses propres paramètres ci-dessus.
Tous les paramètres de cette page sont recopiés de la fiche technique du fabricant.
905LD25W-A chip specification
| Working wavelength | 895 - 915 nm |
|---|---|
| Peak output power | 25 W |
| Number of stacks | 3 |
| Fast-axis divergence (FWHM) | 25 / 28 / 31 deg |
| Slow-axis divergence (FWHM) | 8 / 10 / 12 deg |
| Threshold current | 1.0 A |
| Operating current | 12 A |
| Operating temperature | -15 to +40 C |
| Storage temperature | -40 to +125 C |
| Package | Bare die |
Caractéristiques clés
- 25 W peak output power
- 3-layer cascade structure
- Strained quantum-well material
- Narrow far-field divergence
- High optical power density
- RoHS compliant
Cette pièce est utilisée dans ces démontages d'application :
Applications typiques
- Infrared ranging modules
- Infrared illumination
- Custom laser packaging
- Cost-optimised sensor builds
Calculer avec cette fiche technique
Chaque calculateur ci-dessous s'ouvre avec les valeurs de cette pièce déjà saisies : énergie par impulsion, puissance crête, longueur d'onde, largeur d'impulsion, rapport cyclique et fréquence de répétition, dans les unités demandées par les champs.
- Intensity Power 25 W · Wavelength (visual color) 905 nm
- PDE Spectral Curve Current wavelength λ 905 nm · Peak wavelength λ0 905 nm
- Peak Power Peak power 25 W · Pulse width 100 ns
- Pulse Peak Power Peak power 25 W · Pulse width 100 ns
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Fibre pigtail, collimation en axe rapide, carte de pilotage adaptée ou récepteur filtré : décrivez le montage et nous chiffrerons dessus.
