905 nm Pulsed Laser Diode Chip

905LD100W-A

Name: 905LD100W-A
SKU: 905LD100W-A

90 W peak 905 nm chip, 3-layer stack

A 905 nm edge-emitting laser chip built on strained quantum-well material with a stacked tunnel-junction structure. The 3-layer stack reaches 90 W peak power while keeping forward current low, which lowers driver cost. The chip is designed for both plastic and hermetic metal packaging.

90 WPuissance crête

905 nmLongueur d'onde

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Portée estimée

Les estimations de portée concernent les émetteurs pulsés. Ce composant est spécifié par ses propres paramètres ci-dessus.

Tous les paramètres de cette page sont recopiés de la fiche technique du fabricant.

905LD100W-A chip specification

Spécifications - 905LD100W-A
Working wavelength	895 - 915 nm
Peak output power	90 W
Number of stacks	3
Fast-axis divergence (FWHM)	25 / 28 / 31 deg
Slow-axis divergence (FWHM)	8 / 10 / 12 deg
Threshold current	1.0 A
Operating current	35 A
Operating temperature	-15 to +40 C
Storage temperature	-40 to +125 C
Package	Bare die

Caractéristiques clés

90 W peak output power
3-layer cascade structure
Strained quantum-well material
Narrow far-field divergence
High optical power density
RoHS compliant

Cette pièce est utilisée dans ces démontages d'application :

Spinning 2D LiDAR

Applications typiques

Infrared ranging modules
Infrared illumination
Custom laser packaging
Cost-optimised sensor builds

Calculer avec cette fiche technique

Chaque calculateur ci-dessous s'ouvre avec les valeurs de cette pièce déjà saisies : énergie par impulsion, puissance crête, longueur d'onde, largeur d'impulsion, rapport cyclique et fréquence de répétition, dans les unités demandées par les champs.

Intensity Power 90 W · Wavelength (visual color) 905 nm
PDE Spectral Curve Current wavelength λ 905 nm · Peak wavelength λ0 905 nm
Peak Power Peak power 90 W · Pulse width 100 ns
Pulse Peak Power Peak power 90 W · Pulse width 100 ns

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