905 nm Pulsed Laser Diode Chip
905LD100W-A
90 W peak 905 nm chip, 3-layer stack
A 905 nm edge-emitting laser chip built on strained quantum-well material with a stacked tunnel-junction structure. The 3-layer stack reaches 90 W peak power while keeping forward current low, which lowers driver cost. The chip is designed for both plastic and hermetic metal packaging.
Оценочная дальность
Оценки дальности относятся к импульсным передающим компонентам. Этот прибор определяется собственными параметрами выше.
Все параметры на этой странице перенесены из спецификации производителя.
905LD100W-A chip specification
| Working wavelength | 895 - 915 nm |
|---|---|
| Peak output power | 90 W |
| Number of stacks | 3 |
| Fast-axis divergence (FWHM) | 25 / 28 / 31 deg |
| Slow-axis divergence (FWHM) | 8 / 10 / 12 deg |
| Threshold current | 1.0 A |
| Operating current | 35 A |
| Operating temperature | -15 to +40 C |
| Storage temperature | -40 to +125 C |
| Package | Bare die |
Ключевые особенности
- 90 W peak output power
- 3-layer cascade structure
- Strained quantum-well material
- Narrow far-field divergence
- High optical power density
- RoHS compliant
Этот компонент используется в разборах:
Типовые применения
- Infrared ranging modules
- Infrared illumination
- Custom laser packaging
- Cost-optimised sensor builds
Рассчитать по этой спецификации
Каждый калькулятор ниже открывается с уже подставленными значениями этого компонента: энергия импульса, пиковая мощность, длина волны, длительность импульса, скважность и частота повторения - в единицах, которые требуют поля.
- Intensity Power 90 W · Wavelength (visual color) 905 nm
- PDE Spectral Curve Current wavelength λ 905 nm · Peak wavelength λ0 905 nm
- Peak Power Peak power 90 W · Pulse width 100 ns
- Pulse Peak Power Peak power 90 W · Pulse width 100 ns
Нужен этот компонент в определённой конфигурации?
Волоконный пигтейл, коллимация по быстрой оси, согласованная плата драйвера или приёмник с фильтром - опишите сборку, и мы дадим цену под неё.
