905 nm Pulsed Laser Diode Chip

905LD100W-A

90 W peak 905 nm chip, 3-layer stack

A 905 nm edge-emitting laser chip built on strained quantum-well material with a stacked tunnel-junction structure. The 3-layer stack reaches 90 W peak power while keeping forward current low, which lowers driver cost. The chip is designed for both plastic and hermetic metal packaging.

90 WSpitzenleistung
905 nmWellenlänge

Geschätzte Reichweite

Reichweitenschätzungen gelten für gepulste Sender. Dieses Bauteil ist durch seine eigenen Parameter oben spezifiziert.

Jeder Parameter auf dieser Seite ist aus dem Herstellerdatenblatt übernommen.

905LD100W-A chip specification

Spezifikationen - 905LD100W-A
Working wavelength895 - 915 nm
Peak output power90 W
Number of stacks3
Fast-axis divergence (FWHM)25 / 28 / 31 deg
Slow-axis divergence (FWHM)8 / 10 / 12 deg
Threshold current1.0 A
Operating current35 A
Operating temperature-15 to +40 C
Storage temperature-40 to +125 C
PackageBare die

Wesentliche Merkmale

  • 90 W peak output power
  • 3-layer cascade structure
  • Strained quantum-well material
  • Narrow far-field divergence
  • High optical power density
  • RoHS compliant

Dieses Teil steckt in diesen Anwendungs-Zerlegungen:

Typische Anwendungen

  • Infrared ranging modules
  • Infrared illumination
  • Custom laser packaging
  • Cost-optimised sensor builds

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Jeder Rechner unten öffnet sich mit den Zahlen dieses Bauteils bereits eingetragen - Pulsenergie, Spitzenleistung, Wellenlänge, Pulsbreite, Tastverhältnis und Wiederholrate, in den Einheiten, die die Felder verlangen.

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