905 nm Pulsed Laser Diode Chip
905LD25W-A
25 W peak 905 nm chip, 3-layer stack
A 905 nm edge-emitting laser chip built on strained quantum-well material with a stacked tunnel-junction structure. The 3-layer stack reaches 25 W peak power while keeping forward current low, which lowers driver cost. The chip is designed for both plastic and hermetic metal packaging.
Alcance estimado
As estimativas de alcance valem para peças transmissoras pulsadas. Este dispositivo é especificado pelos seus próprios parâmetros acima.
Todos os parâmetros desta página foram transcritos da folha de dados do fabricante.
905LD25W-A chip specification
| Working wavelength | 895 - 915 nm |
|---|---|
| Peak output power | 25 W |
| Number of stacks | 3 |
| Fast-axis divergence (FWHM) | 25 / 28 / 31 deg |
| Slow-axis divergence (FWHM) | 8 / 10 / 12 deg |
| Threshold current | 1.0 A |
| Operating current | 12 A |
| Operating temperature | -15 to +40 C |
| Storage temperature | -40 to +125 C |
| Package | Bare die |
Principais características
- 25 W peak output power
- 3-layer cascade structure
- Strained quantum-well material
- Narrow far-field divergence
- High optical power density
- RoHS compliant
Esta peça é usada nestas desmontagens de aplicação:
Aplicações típicas
- Infrared ranging modules
- Infrared illumination
- Custom laser packaging
- Cost-optimised sensor builds
Calcule com esta folha de dados
Cada calculadora abaixo abre com os números desta peça já preenchidos - energia de pulso, potência de pico, comprimento de onda, largura de pulso, ciclo de trabalho e taxa de repetição, nas unidades que os campos pedem.
- Intensity Power 25 W · Wavelength (visual color) 905 nm
- PDE Spectral Curve Current wavelength λ 905 nm · Peak wavelength λ0 905 nm
- Peak Power Peak power 25 W · Pulse width 100 ns
- Pulse Peak Power Peak power 25 W · Pulse width 100 ns
Precisa desta peça em uma configuração específica?
Pigtail de fibra, colimação de eixo rápido, uma placa driver casada ou um receptor filtrado - descreva a montagem e faremos o orçamento.
