905 nm Pulsed Laser Diode Chip

905LD25W-A

25 W peak 905 nm chip, 3-layer stack

A 905 nm edge-emitting laser chip built on strained quantum-well material with a stacked tunnel-junction structure. The 3-layer stack reaches 25 W peak power while keeping forward current low, which lowers driver cost. The chip is designed for both plastic and hermetic metal packaging.

25 WTepe güç
905 nmDalga boyu

Tahmini menzil

Menzil tahminleri darbeli verici parçalar için geçerlidir. Bu cihaz yukarıdaki kendi parametreleriyle tanımlanır.

Bu sayfadaki her parametre üreticinin veri sayfasından aktarılmıştır.

905LD25W-A chip specification

Şartnameler - 905LD25W-A
Working wavelength895 - 915 nm
Peak output power25 W
Number of stacks3
Fast-axis divergence (FWHM)25 / 28 / 31 deg
Slow-axis divergence (FWHM)8 / 10 / 12 deg
Threshold current1.0 A
Operating current12 A
Operating temperature-15 to +40 C
Storage temperature-40 to +125 C
PackageBare die

Öne çıkan özellikler

  • 25 W peak output power
  • 3-layer cascade structure
  • Strained quantum-well material
  • Narrow far-field divergence
  • High optical power density
  • RoHS compliant

Bu parça şu uygulama sökümlerinde kullanılır:

Tipik uygulamalar

  • Infrared ranging modules
  • Infrared illumination
  • Custom laser packaging
  • Cost-optimised sensor builds

Bu veri sayfasıyla hesaplayın

Aşağıdaki her hesaplayıcı bu parçanın kendi değerleri önceden doldurulmuş olarak açılır - darbe enerjisi, tepe güç, dalga boyu, darbe genişliği, görev çevrimi ve tekrar hızı, alanların istediği birimlerde.

Bu parça özel bir konfigürasyonda mı gerekiyor?

Fiber pigtail, hızlı eksen kolimasyonu, uyumlu sürücü kartı veya filtreli alıcı - yapıyı anlatın, ona göre fiyat verelim.

Bir mühendise sorun