905 nm Pulsed Laser Diode Chip
1309056X110-PLD240W-L
240 W peak 905 nm chip, 9-layer stack
A 905 nm edge-emitting laser chip built on strained quantum-well material with a stacked tunnel-junction structure. The 9-layer stack reaches 240 W peak power while keeping forward current low, which lowers driver cost. The chip is designed for both plastic and hermetic metal packaging.
Geschätzte Reichweite
Reichweitenschätzungen gelten für gepulste Sender. Dieses Bauteil ist durch seine eigenen Parameter oben spezifiziert.
Jeder Parameter auf dieser Seite ist aus dem Herstellerdatenblatt übernommen.
1309056X110-PLD240W-L chip specification
| Working wavelength | 895 - 915 nm |
|---|---|
| Peak output power | 240 W |
| Number of stacks | 9 |
| Fast-axis divergence (FWHM) | 22 / 25 / 28 deg |
| Slow-axis divergence (FWHM) | 8 / 10 / 12 deg |
| Threshold current | 1.0 A |
| Operating current | 45 A |
| Operating temperature | -15 to +40 C |
| Storage temperature | -40 to +125 C |
| Package | Bare die |
Wesentliche Merkmale
- 240 W peak output power
- 9-layer cascade structure
- Strained quantum-well material
- Narrow far-field divergence
- High optical power density
- RoHS compliant
Dieses Teil steckt in diesen Anwendungs-Zerlegungen:
Typische Anwendungen
- Infrared ranging modules
- Infrared illumination
- Custom laser packaging
- Cost-optimised sensor builds
Mit diesem Datenblatt rechnen
Jeder Rechner unten öffnet sich mit den Zahlen dieses Bauteils bereits eingetragen - Pulsenergie, Spitzenleistung, Wellenlänge, Pulsbreite, Tastverhältnis und Wiederholrate, in den Einheiten, die die Felder verlangen.
- Intensity Power 240 W · Wavelength (visual color) 905 nm
- PDE Spectral Curve Current wavelength λ 905 nm · Peak wavelength λ0 905 nm
- Peak Power Peak power 240 W · Pulse width 100 ns
- Pulse Peak Power Peak power 240 W · Pulse width 100 ns
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Faserpigtail, Schnellachsenkollimation, eine passende Treiberplatine oder ein gefilterter Empfänger - beschreiben Sie den Aufbau, und wir bieten darauf an.
