905 nm 脉冲激光二极管芯片

1309056X110-PLD240W-L

240 W 峰值功率 905 nm 芯片，9 层叠层结构

采用应变量子阱材料与叠层隧道结结构的 905 nm 边发射激光芯片。9 层叠层在较低正向电流下即可达到 240 W 峰值功率，可降低驱动成本。适配塑封与金属气密封装工艺。