905 nm Pulsed Laser Diode Chip
905LD50W-A
50 W peak 905 nm chip, 3-layer stack
A 905 nm edge-emitting laser chip built on strained quantum-well material with a stacked tunnel-junction structure. The 3-layer stack reaches 50 W peak power while keeping forward current low, which lowers driver cost. The chip is designed for both plastic and hermetic metal packaging.
50 W피크 출력
905 nm파장
예상 거리
거리 추정은 펄스 송신 부품에 적용됩니다. 이 소자는 위의 자체 파라미터로 규정됩니다.
이 페이지의 모든 파라미터는 제조사 데이터시트에서 옮겨 적은 것입니다.
905LD50W-A chip specification
| Working wavelength | 895 - 915 nm |
|---|---|
| Peak output power | 50 W |
| Number of stacks | 3 |
| Fast-axis divergence (FWHM) | 25 / 28 / 31 deg |
| Slow-axis divergence (FWHM) | 8 / 10 / 12 deg |
| Threshold current | 1.0 A |
| Operating current | 22 A |
| Operating temperature | -15 to +40 C |
| Storage temperature | -40 to +125 C |
| Package | Bare die |
주요 특징
- 50 W peak output power
- 3-layer cascade structure
- Strained quantum-well material
- Narrow far-field divergence
- High optical power density
- RoHS compliant
이 부품은 다음 용도 분해 분석에 사용됩니다:
대표적 용도
- Infrared ranging modules
- Infrared illumination
- Custom laser packaging
- Cost-optimised sensor builds
이 데이터시트 값으로 계산
아래 계산기는 이 부품의 수치(펄스 에너지, 피크 출력, 파장, 펄스 폭, 듀티 사이클, 반복 주파수)가 각 입력란이 요구하는 단위로 이미 채워진 상태로 열립니다.
- Intensity Power 50 W · Wavelength (visual color) 905 nm
- PDE Spectral Curve Current wavelength λ 905 nm · Peak wavelength λ0 905 nm
- Peak Power Peak power 50 W · Pulse width 100 ns
- Pulse Peak Power Peak power 50 W · Pulse width 100 ns
