905 nm Pulsed Laser Diode Chip
905LD50W-A
50 W peak 905 nm chip, 3-layer stack
A 905 nm edge-emitting laser chip built on strained quantum-well material with a stacked tunnel-junction structure. The 3-layer stack reaches 50 W peak power while keeping forward current low, which lowers driver cost. The chip is designed for both plastic and hermetic metal packaging.
المدى المقدَّر
تقديرات المدى تخص قطع الإرسال النبضية. هذا الجهاز مُحدَّد بمعلماته أعلاه.
كل معلمة في هذه الصفحة منقولة من صحيفة بيانات المُصنِّع.
905LD50W-A chip specification
| Working wavelength | 895 - 915 nm |
|---|---|
| Peak output power | 50 W |
| Number of stacks | 3 |
| Fast-axis divergence (FWHM) | 25 / 28 / 31 deg |
| Slow-axis divergence (FWHM) | 8 / 10 / 12 deg |
| Threshold current | 1.0 A |
| Operating current | 22 A |
| Operating temperature | -15 to +40 C |
| Storage temperature | -40 to +125 C |
| Package | Bare die |
أبرز الخصائص
- 50 W peak output power
- 3-layer cascade structure
- Strained quantum-well material
- Narrow far-field divergence
- High optical power density
- RoHS compliant
تُستخدم هذه القطعة في هذه التفكيكات التطبيقية:
التطبيقات المعتادة
- Infrared ranging modules
- Infrared illumination
- Custom laser packaging
- Cost-optimised sensor builds
احسب بصحيفة البيانات هذه
كل حاسبة أدناه تُفتح وأرقام هذه القطعة معبَّأة مسبقًا - طاقة النبضة وقدرة الذروة والطول الموجي وعرض النبضة ودورة العمل ومعدل التكرار، بالوحدات التي تطلبها الحقول.
- Intensity Power 50 W · Wavelength (visual color) 905 nm
- PDE Spectral Curve Current wavelength λ 905 nm · Peak wavelength λ0 905 nm
- Peak Power Peak power 50 W · Pulse width 100 ns
- Pulse Peak Power Peak power 50 W · Pulse width 100 ns
تحتاج هذه القطعة بتشكيل معيَّن؟
ذيل ليفي، أو تجميع محور سريع، أو لوحة مشغِّل مطابِقة، أو مستقبِل مُرشَّح - صِف البناء وسنسعِّر عليه.
