905 nm Pulsed Laser Diode Chip
905LD75W-A
75 W peak 905 nm chip, 3-layer stack
A 905 nm edge-emitting laser chip built on strained quantum-well material with a stacked tunnel-junction structure. The 3-layer stack reaches 75 W peak power while keeping forward current low, which lowers driver cost. The chip is designed for both plastic and hermetic metal packaging.
75 Wピークパワー
905 nm波長
推定到達距離
到達距離の試算はパルス送信部品に適用されます。このデバイスは上記の固有パラメータで規定されます。
このページのすべてのパラメータはメーカーのデータシートから転記しています。
905LD75W-A chip specification
| Working wavelength | 895 - 915 nm |
|---|---|
| Peak output power | 75 W |
| Number of stacks | 3 |
| Fast-axis divergence (FWHM) | 25 / 28 / 31 deg |
| Slow-axis divergence (FWHM) | 8 / 10 / 12 deg |
| Threshold current | 1.0 A |
| Operating current | 30 A |
| Operating temperature | -15 to +40 C |
| Storage temperature | -40 to +125 C |
| Package | Bare die |
主な特長
- 75 W peak output power
- 3-layer cascade structure
- Strained quantum-well material
- Narrow far-field divergence
- High optical power density
- RoHS compliant
代表的な用途
- Infrared ranging modules
- Infrared illumination
- Custom laser packaging
- Cost-optimised sensor builds
このデータシートの値で計算
以下の各計算ツールは、この部品の数値（パルスエネルギー、ピークパワー、波長、パルス幅、デューティ比、繰り返し周波数）を各欄が求める単位で入力済みの状態で開きます。
- Intensity Power 75 W · Wavelength (visual color) 905 nm
- PDE Spectral Curve Current wavelength λ 905 nm · Peak wavelength λ0 905 nm
- Peak Power Peak power 75 W · Pulse width 100 ns
- Pulse Peak Power Peak power 75 W · Pulse width 100 ns
