905 nm Pulsed Laser Diode Chip

905LD75W-A

75 W peak 905 nm chip, 3-layer stack

A 905 nm edge-emitting laser chip built on strained quantum-well material with a stacked tunnel-junction structure. The 3-layer stack reaches 75 W peak power while keeping forward current low, which lowers driver cost. The chip is designed for both plastic and hermetic metal packaging.

75 WPotencia de pico
905 nmLongitud de onda

Alcance estimado

Las estimaciones de alcance se aplican a emisores pulsados. Este dispositivo se especifica con sus propios parámetros de arriba.

Todos los parámetros de esta página están transcritos de la hoja de datos del fabricante.

905LD75W-A chip specification

Especificaciones - 905LD75W-A
Working wavelength895 - 915 nm
Peak output power75 W
Number of stacks3
Fast-axis divergence (FWHM)25 / 28 / 31 deg
Slow-axis divergence (FWHM)8 / 10 / 12 deg
Threshold current1.0 A
Operating current30 A
Operating temperature-15 to +40 C
Storage temperature-40 to +125 C
PackageBare die

Características principales

  • 75 W peak output power
  • 3-layer cascade structure
  • Strained quantum-well material
  • Narrow far-field divergence
  • High optical power density
  • RoHS compliant

Aplicaciones típicas

  • Infrared ranging modules
  • Infrared illumination
  • Custom laser packaging
  • Cost-optimised sensor builds

Calcular con esta hoja de datos

Cada calculadora de abajo se abre con los números de esta pieza ya rellenados: energía de pulso, potencia de pico, longitud de onda, ancho de pulso, ciclo de trabajo y frecuencia de repetición, en las unidades que piden los campos.

¿Necesitas esta pieza en una configuración concreta?

Fibra pigtail, colimación en eje rápido, una placa driver a juego o un receptor filtrado: describe el montaje y cotizaremos sobre él.

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